DSEE29-12CC
0 400 800200 600 1000
70
80
90
100
110
120
130
0.001 0.01 0.1 1 10
t
[s]
t
0.01
0.1
1
0 40 80 120 160
0.0
0.5
Kf
1.0
1.5
2.0
0 200 400 600 800 1000
0
5
10
15
20
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0 400 800200 600 1000
0
10
[A]
20
30
40
50
1000
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
0
10
20
[A]
30
F
40
50
60
70
A
DSEE 29-12CC
TVJ
=25°C
IRM
Qr
VFR
TVJ
= 100°C
VR
=300V
TVJ
= 100°C
VR
= 300 V
trr
IF
= 60 A
IF
= 30 A
IF
= 15 A
IF
= 60 A
IF
= 30 A
IF
= 15 A
TVJ
= 100°C
IF
= 30 A
I
VF
[V]
Qr
[nC]
-diF/dt
[A/μs]
IRM
-diF/dt
[A/μs]
TVJ
[°C]
trr
[ns]
-diF/dt
[A/μs]
tfr
[μs]
-diF/dt
[A/μs]
VFR
[V]
ZthJC
[K/W]
Fig. 1 Forward current IF
vs. VF
Fig. 2 Typ. reverse recovery charge
Qr
versus -diF
/dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Dynamic parameters
Qr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. recovery time
trr
versus -diF
/dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage VFR
and typ. forward recovery time
tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
TVJ
= 100°C
TVJ
= 150°C
IF
=60 A
IF
=30 A
IF
=15 A
TVJ
= 100°C
VR
= 300 V
Constants for ZthJC
calculation:
iRthi
(K/W) t
i
(s)
1 0.038 0.00024
2 0.07 0.0036
3 0.245 0.0235
4 0.198 0.1421
5 0.35 0.25
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
?
2011 IXYS all rights reserved
20110215a
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
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